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NTS2101PT1G規(guī)格
信息來源 : 網(wǎng)絡
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發(fā)布時間 : 2024-02-18 10:42
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NTS2101PT1G規(guī)格
產(chǎn)品屬性 屬性值 選擇屬性
制造商: onsemi
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術(shù): Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-323-3
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 8 V
Id-連續(xù)漏極電流: 1.4 A
Rds On-漏源導通電阻: 100 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 450 mV
Qg-柵極電荷: 6.4 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 290 mW
通道模式: Enhancement
系列: NTS2101P
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: onsemi
配置: Single
下降時間: 18 ns
高度: 0.85 mm
長度: 2.1 mm
產(chǎn)品: MOSFET Small Signals
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 15 ns
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
類型: MOSFET
典型關(guān)閉延遲時間: 26 ns
典型接通延遲時間: 6.2 ns
寬度: 1.24 mm
單位重量: 6 mg
