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XC5VLX155T-2FF1136I

信息來源 : 網(wǎng)絡(luò) | 發(fā)布時間 : 2016-04-19 10:12 | 瀏覽次數(shù) : 347

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空間電子設(shè)備由于其所處的軌道不同,受到的輻射影響也不相同,但是,總的來講對Xilinx FPGA影響比較大的輻射效應(yīng)主要有:總劑量效應(yīng)(TID:Total IonizingDose)、單粒子翻轉(zhuǎn)(SEU:Single Event Upset)、單粒子閂鎖(SEL:Single Event Latch-up)、單粒子功能中斷(SEFI:Single Event Functional Interrupt)、單粒子燒毀(SEB:Single Event Burnout)、單粒子瞬態(tài)脈沖(SET:Single Event Tran-sient)、位移損傷(Displacement Damage)等。上述輻射效應(yīng)產(chǎn)生的機(jī)理不盡相同,引起FPGA的失效形式也不同。
FPGA的配置存儲器、DCM、CLB、塊存儲器對單粒子翻轉(zhuǎn)比較敏感,可通過TMR(三倍冗余法)、Scrubbing等來解決。
單粒子閉鎖會導(dǎo)致FPGA電流增大,局部溫度升高,有時甚至可以高達(dá)200℃上,如果FPGA長時間處于高溫狀態(tài)將導(dǎo)致器件的永久損壞。只有降低電源電壓才能退出閂鎖狀態(tài),因此在檢測到單粒子閂鎖之后最好的辦法是斷開器件的電源。
FPGA中單粒子功能中斷的敏感部分為配置存儲器、上電復(fù)位電路(POR:power on reset)、
Select-MAP接口和JATAG接口,分別可通過Monitor the DONE pin、Read and Write to FAR、Read-back and compare to known CRC和toggling PROG等措施解決,對所有SEFI,Xilinx提供IP監(jiān)視和改正。
單粒子瞬態(tài)脈沖能引起FPGA內(nèi)部邏輯電路的短時錯誤,可通過TMR、Scrubbing等來解決。單粒子瞬態(tài)脈沖對于小于0.25 μm工藝的FPGA影響較大。
上述輻射效應(yīng)對FPGA造成的影響有的是永久性的,如總劑量效應(yīng)、單粒子燒毀、位移損傷;有的是能夠恢復(fù)的,如單粒子翻轉(zhuǎn)、單粒子功能中斷、單粒子瞬態(tài)脈沖。接下來根據(jù)對上述輻射影響的分析,研究提高FPGA抗輻射效應(yīng)的可靠性設(shè)計方法。

 FPGA抗輻射效應(yīng)可靠性設(shè)計
FPGA抗輻射效應(yīng)可靠性設(shè)計可以從以下幾方面進(jìn)行考慮:FPGA整體設(shè)計加固考慮;散布內(nèi)部間接檢測輻射效應(yīng)的自檢模塊;引入外部高可靠性的電子器件在空間中不可避免地會受到輻射效應(yīng)監(jiān)測模塊等措施。
整體加固設(shè)計
在電子設(shè)備的外面一般采用一定厚度的材料對輻射進(jìn)行屏蔽,屏蔽可以減少設(shè)備所受的輻射效應(yīng)。不同的材料對不同的粒子有著不同的屏蔽性能,經(jīng)常采用的材料有鋁、鉭和脂類化合物等。整體屏蔽的辦法在航天電子設(shè)備中使用較多,也比較成熟。
結(jié)合我們實際,考慮整星及電控機(jī)箱的整體屏蔽效果,在軌高500km及四年工作壽命條件下,選器件耐輻射能力10~20krad(Si)以上。
冗余設(shè)計
冗余設(shè)計方法是被公認(rèn)為比較可靠的應(yīng)對輻射效應(yīng)的方法。常用的冗余設(shè)計有三倍冗余法(TMR:Triple Module Redundancy)和部分三倍冗余法(PTMR:PartialTriple Module Redundancy)。圖2所示為Xilinx推薦的三倍冗余設(shè)計邏輯,這種邏輯充分的考慮了SEU、SET產(chǎn)生的
影響。雖然TMR帶來了可靠性的提高,但是也會使模塊的速度降低(有的甚至低到原來的80%)、占用資源和功率增加(約為3.2倍)。

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